%0 Journal Article
%T Uniformity of Undoped Semi-Insulating Indium Phosphide Wafers<br>非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性
%A Dong Hongwei
%A Zhao Youwen
%A Jiao Jinghua
%A Zhao Jianqun
%A Lin Lanying
%A <br>董宏伟
%A 赵有文
%A 焦景华
%A 赵建群
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 对高温退火非掺磷化铟 (In P)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究 .非掺低阻 N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行 930℃、80 h退火均可获得半绝缘材料 .但在这两种条件下制备的两种 5 0 mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性 .纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到 10 6 Ω·cm和 180 0 cm2 / (V· s) ;而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达 10 7Ω· cm 和30 0 0 cm2 / (V· s)以上 .对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的 PL - Mapping结果进一步比较表明 :在磷化铁气氛下
%K indium phosphide(InP)
%K undoped semi
%K insulating
%K Hall
%K PL
%K Mapping
%K uniformity<br>磷化铟(InP)
%K 非掺
%K 半绝缘
%K 均匀性
%K 霍耳(Hall)
%K PL-Mapping
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6E34D81697514E5A&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8E6AB9C3EBAAE921&eid=014B591DF029732F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0