%0 Journal Article
%T 快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究
%A 冯文修
%A 陈蒲生
%A 黄世平
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理．
%K 二氧化硅
%K 热氮化
%K 氮分布
%K 氮化机理
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=09B6AA3B4F2F6EC8&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=1A363081E1FF7014&eid=6826CBE9C80ACB20&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3