%0 Journal Article
%T MOCVD GaInP材料生长过程热力学及其特性
%A 余庆选
%A 励翠云
%A 彭瑞伍
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaInP缓冲层对高温GaInP外延生长的影响，根据GaInP的组分．随生长温度的变化关系，生长出质量较好的短波长Ga0.65In0.35P材料．
%K MOCVD
%K 外延生长
%K 半导体材料
%K 热力学
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3FD003A92929F465&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=82722E2B785EBF0D&eid=4290346F7268639E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4