%0 Journal Article
%T 气相色谱法测定薄膜中氢含量
%A 吕惠云
%A 陈克铭
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文介绍用气相色谱法测定氮化硅膜,非晶硅膜,氮化硼膜中的总氢含量及不同温度下氢的热释放率。该方法灵敏度高,简便准确可靠,样品量少,并且不需作特殊处理,可进行定量测定。
%K 氮化硅膜
%K 非晶硅膜
%K 测量
%K 气相色谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B0114158BFA6A4E8&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=3A0155B37D8FF829&eid=23104246A5FCFCEF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1