%0 Journal Article
%T 非晶碳膜电子辐照性质的研究
%A 顾书林
%A 何宇亮
%A 王志超
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 使用不同剂量的电子束(1.0×10~(13)—6.0×10~(14)Rad,13Mev)对用PECVD法淀积的a-C:H薄膜进行了电子辐照改性研究。广角X光衍射、红外吸收、喇曼散射和共振核反应对样品结构的实验结果表明:在此剂量强度范围内,辐照使非晶碳膜的结构和成分有不同程度的变化。同时金刚石和石墨的晶粒和成分也有一定的变化。从氢的激活作用角度对以上结果进行了解释。
%K 非晶碳膜
%K α－C：H
%K 淀积
%K 电子辐照
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B776C044500D0321&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=38B194292C032A66&sid=D46BA3D3D4B3C585&eid=847B14427F4BF76A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1