%0 Journal Article
%T Numerical Simulation of Oxygen Transportation in 300mm Diameter CZ Si Crystal Growth Under Cusp Magnetic Field<br>勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟
%A Yu Huiping
%A Sui Yunkang
%A Zhang Fengyi
%A Chang Xin''''an
%A <br>宇慧平
%A 隋允康
%A 张峰翊
%A 常新安
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用低雷诺数Ｋ-ε紊流模型，考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素，对晶体直径为300mm，磁场强度变化范围在0～0.12T条件下，熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟．计算中采用有限体积法，运用SIMPLE(semiimplicit method for pressure linked equations)算法耦合压力和速度场，动量方程、能量方程中对流项的离散采用QUICK(quadratic upwind interpolation of convective kinematics)格式，紊动能和耗散项方程中对流项的离散采用迎风格式．数值模拟结果表明，在勾形磁场作用下，熔体硅内的流场、氧的浓度分布与无磁场作用相比有较大不同，随着磁场强度的增加，生长界面处氧的浓度降低，并且磁场确实能有效地抑制熔体内的紊流，有利于晶体生长．
%K CZ Si
%K cusp magnetic field
%K oxygen distribution
%K turbulence model<br>单晶硅
%K 勾形磁场
%K 氧浓度
%K 紊流模型
%K 勾形磁场
%K 直径
%K 熔体
%K 氧浓度分布
%K 数值模拟
%K Magnetic
%K Field
%K Cusp
%K Crystal
%K Growth
%K Diameter
%K Transportation
%K Oxygen
%K Simulation
%K 晶体生长
%K 紊流
%K 生长界面
%K 磁场强度
%K 流场
%K 磁场作用
%K 模拟结果
%K 迎风格式
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=69030001E861FD5B&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=38B194292C032A66&sid=5A751AE9FA58A3FB&eid=C81D738643975BB0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=14