%0 Journal Article
%T MOCVD Growth of p-Type ZnO Thin Films by Using NO as Dopant Source<br>MOCVD法以NO气体为掺杂源生长p型ZnO薄膜
%A Xu Weizhong
%A Ye Zhizhen
%A Zhou Ting
%A Zhao Binghui
%A Zhu Liping
%A and Huang Jingyun
%A <br>徐伟中
%A 叶志镇
%A 周婷
%A 赵炳辉
%A 朱丽萍
%A 黄靖云
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜．实验使用NO和N2O共同作为氧源，且NO同时作为掺氮源，二乙基锌作为锌源．X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性，二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜．通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1.97×10/up18/cm－3，最低电阻率为3.02Ω·cm的ZnO薄膜．
%K ZnO<br>p型
%K 金属有机化学气相沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5B3FC631F35B3C74&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=16D8618C6164A3ED&eid=2001E0D53B7B80EC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=10