%0 Journal Article
%T Normal-Incident Si0.7Ge0.3/Si Multiple Quantum Wells Photodetectors<br>垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器
%A LI Cheng
%A YANG Qin
%A |qing
%A WANG Hong
%A |jie
%A LUO Li
%A |ping
%A CHENG Bu
%A |wen
%A YU Jin
%A |zhong
%A WANG Qi
%A |ming
%A <br>李成
%A 杨沁清
%A 王红杰
%A 罗丽萍
%A 成步文
%A 余金中
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.
%K photodetectors
%K MQW
%K SiGe/Si<br>光电探测器
%K 多量子阱
%K SiGe/Si
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B010E21C72350FE7&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=03436AC72A659ACA&eid=BE5DBC360CD4FFB9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=9