%0 Journal Article
%T Effect of Doping Concentration on Hot Carrier Reliability of Small-Sized nMOSFETs<br>N-掺杂浓度对小尺寸nMOSFETs热载流子寿命的影响
%A ZHANG Jiong
%A LI Rui
%A |wei
%A <br>张炯
%A 李瑞伟
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 从模拟和试验二方面对N-区的结构参数影响器件可靠性的规律进行了细致的研究.考虑到工艺条件,主要讨论N-区的掺杂浓度(NN-)的变化对器件可靠性的影响.通过模拟和从实际工作中得到的结果,对于0.35—1.2μm器件,我们将N-区的掺杂浓度优化为7×1017—1×1018/cm3.利用优化结果进行试验生产,并对器件寿命进行测量的结果表明,沟道长度0.8μm以上的均可以在5V的电源电压下可靠地工作10年(工业标准);0.4μm的器件,可以在4V的电源电压下达到10年的工作寿命(热载流子寿命).
%K hot carrier
%K lifetime
%K MOS<br>热载流子
%K 寿命
%K MOS
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7CA0B4F670412587&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=94C357A881DFC066&sid=8F2250DA83AF77B8&eid=7D1E6EEC2019967D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5