%0 Journal Article
%T CdTe-HgCdTe界面的电导机制
%A 张新昌
%A 郑国珍
%A 桂永胜
%A 郭少令
%A 褚君浩
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文研究了ＣｄＴｅ和ｎ型、ｐ型Ｈｇ０．５３Ｃｄ０．４７Ｔｅ界面的电学特性．ｎ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构强反型区开始处的电导峰是表面处禁带态辅助的间接隧穿引起的；而ｐ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构的强反型区电导出现两个振荡峰，是体陷阱辅助的价带电子到表面反型层二维子带的隧穿引起的，而耗尽区的电导峰则为界面态产生复合．指出ｐ型和ｎ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构隧穿电导的差别是：ｐ型ＨｇＣｄＴｅＭＩＳ结构隧穿对表面处的禁带态不敏感．并用电导法研究ＣｄＴｅ／ＨｇＣｄＴｅ界面态在禁带中的分布，求得了界面态的时间常数和俘获截面
%K 碲镉汞
%K 界面
%K 电导法
%K 窄禁带半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C456C59B001DC2F6B44&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8C267C8DC97FEEEF&eid=CEFA535D01173730&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6