%0 Journal Article
%T 1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件
%A 罗毅
%A 文国鹏
%A 孙长征
%A 李同宁
%A 杨新民
%A 王任凡
%A 王彩玲
%A 金锦炎
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．
%K 光通信
%K 半导体激光器
%K 集成器件
%K EA调制器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=05B266F7249AB287&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=2E15A588990CC690&eid=A3F93694B058F76C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1