%0 Journal Article
%T 硅基铁电薄膜的制备和特性研究
%A 陈峥
%A 汤庭鳌
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文详细介绍了在硅衬底上用ＳＯＬ－ＧＥＬ方法制备ＰＺＴ铁电薄膜电容的工艺步骤，对铁电薄膜进行了ＸＰＳ分析、表面形貌分析、ＸＲＤ分析，测量了铁电电容的电滞回线及Ｃ－Ｖ曲线，并分析了各种工艺条件对铁电薄膜性能的影响．
%K 硅
%K 铁电薄膜
%K 制备
%K 特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1812C1FB69F89571&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=5E191A234CD3698F&eid=839A12D3ACF8C715&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2