%0 Journal Article
%T 微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为
%A 张溪文
%A 杨建松
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主（ＴＤ）和新施主（ＴＮＤ）的氮关施主（ＮＲＤ）（ｎｉｔｒｏｇｅｎ－ｒｅｌａｔｅｄｄｏｎｏｒ）．其形成于５００～９００℃，６００℃左右最为活跃．短时间热处理时，ＮＲＤ的形成与消除具有可回复性，并与氮—氮对的可逆变化──对应．随热处理时间的延长，可逆行为逐渐消失．硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态．
%K 掺杂
%K 氮
%K 硅单晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4F07DD205A7C73B5&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=CA122BD5B2FF2137&eid=786A9BAE5CF9B9EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3