%0 Journal Article
%T 2D Threshold Voltage Model of DMOS<br>DMOS阈值电压二维模型
%A Li Zehong
%A Zhang Bo
%A Li Zhaoji
%A Fang Jian
%A Yang Jian
%A <br>李泽宏
%A 张波
%A 李肇基
%A 方健
%A 杨舰
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 .模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合 .给出了沟道表面扩散浓度在 2e16～ 10 e 10 16cm-3 范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式 .该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题 .
%K double-diffusion MOSFET
%K threshold voltage
%K 2D threshold voltage model<br>double-diffusion
%K MOSFET
%K 阈值电压
%K 二维阈值电压模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BDE3F93545ACA224&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=B31275AF3241DB2D&sid=EB8E83807F36F05B&eid=4D0B71A09FA5A2A5&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=14