%0 Journal Article
%T 在微重力下生长的GaAs：Si单晶结构缺陷的X射线研究
%A 蒋四南
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文对空间生长ＧａＡＳ：Ｓｉ单晶，沿着生长方向用Ｘ射线形貌和双晶衍射方法进行了研究，Ｘ射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区．双晶衍射表明，在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高．
%K 砷化镓：硅
%K 单晶生长
%K 结构缺陷
%K X射线
%K 微重力
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=152E45E2C31AE1D0&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=38B194292C032A66&sid=ED01F5AE50BE09C0&eid=954CE65414DD94CA&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4