%0 Journal Article
%T p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array<br>p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列
%A 杨红官
%A 施毅
%A 闾锦
%A 濮林
%A 沈波
%A 张荣
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法,数值计算了p沟道锗/硅异质纳米结构存储器的时间特性.由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储,具有优异的存储特性.以2×2逻辑阵列为例说明了这类存储器单元组成逻辑电路的设计原理.研究结果表明:这种器件可以作为在室温下工作的性能优异的非易失性存储器单元,有望在将来的超大规模集成电路中获得应用.
%K Ge/Si
%K hetero-nanocrystal
%K memory
%K hole tunneling
%K simulation<br>锗/硅
%K 异质纳米结构
%K 存储器
%K 空穴隧穿
%K 数值模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BD04B6CDD551C069&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=0B39A22176CE99FB&sid=E114CF9BB47B65BE&eid=798FBE8DE1A255B1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=20