%0 Journal Article
%T 形成优质Si~＋注入SI—GaAs层的研究
%A 李国辉
%A 韩德俊
%A 陈如意
%A 姬成周
%A 王策寰
%A 夏德谦
%A 朱红清
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 在ＧａＡｓ集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的ｎ型薄层．本文研究了引Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ形成的ｎ型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系．结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响．材料或退火过程中Ａｓ和Ｇａ的原子比［Ａｓ］／［Ｃａ］稍大时，注入层中电激活率和迁移率都高．实验还证明，２９Ｓｉ＋注入时ＢＦ＋束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降．本文指出注入时剂量不宜过大，白光快速退火时温度不宜过高，一般在９６０℃５秒退火为佳．
%K 砷化镓
%K 集成电路
%K 离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FE3AD82F2825E54711147057188DF64&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1371F55DA51B6E64&eid=F4B561950EE1D31A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5