%0 Journal Article
%T Exciton-Phonon Coupling of NN3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP<br>重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合(英文)
%A AMascarenhas
%A <br>高玉琳
%A 吕毅军
%A 郑健生
%A 张勇
%A A Mascarenhas
%A 辛火平
%A 杜武青
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.
%K GaPN
%K photoluminescence
%K isoelectronic impurity<br>GaPN
%K 光致发光
%K 等电子陷阱
%K GaPN
%K photoluminescence
%K isoelectronic
%K impurity
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=97C22228310BD9F1&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=BF6EDE6C10074464&eid=3DC9CEF02B8360EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13