%0 Journal Article
%T Arsenic-Doped Poly-Silicon Emitter RCA Transistor<br>掺砷多晶硅发射极RCA晶体管
%A ZHANG Li
%A |chun
%A YE Hong
%A |fei
%A JIN Xue
%A |lin
%A GAO Yu
%A |zhi
%A NING Bao
%A |jun
%A <br>张利春
%A 叶红飞
%A 金雪林
%A 高玉芝
%A 宁宝俊
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55—+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.
%K RCA transistor
%K poly\|silicon emitter
%K arsenic doped<br>RCA晶体管
%K 多晶硅发射极
%K 掺砷
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71E0E2BCA7FD3F74&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=780091CB32840698&eid=F20A770D14436F7C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=9