%0 Journal Article
%T 铕离子注入氧化硅膜光发射的研究
%A 王亮
%A 朱美芳
%A 郑怀德
%A 侯延冰
%A 刘丰珍
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ－２及１０１５ｃｍ－２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋的红光发射．在１２００℃下氮气中退火观察到Ｅｕ２＋４５０ｎｍ的强光发射．讨论了Ｅｕ３＋向Ｅｕ２＋的转变
%K 铕
%K 离子注入
%K 氧化硅
%K 膜光发射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=02D9C66B4811491F&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=2EA35D7E5C9A6E66&eid=450524CAAD043961&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3