%0 Journal Article
%T 红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀
%A 李宇杰
%A 刘晓华
%A 介万奇
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况
%K 红外半导体材料
%K HgMnTe
%K 缺陷腐蚀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFD73B97AF50F0ACD23B0F1612087A69&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=849F08713EB6820A&eid=E3691231514F8E11&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3