%0 Journal Article
%T GaN压电效应对载流子浓度的影响
%A 张剑平
%A 王晓亮
%A 孙殿照
%A 李晓兵
%A 付荣辉
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 在ＮＨ３源ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＮ中观察到较大的双轴张应变．随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Ｈａｌ测试得到的背景电子浓度增大．本文应用ＧａＮ的压电效应对此进行了解释．
%K 半导体
%K 氮化镓
%K 压电效应
%K 载流子浓度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C783CBEB623CD97B&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E3C3E274D87A8C16&eid=51F9E747BA1ACB45&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3