%0 Journal Article
%T 双向S型负阻器件的二维数值模拟方法及模拟结果分析
%A 张富斌
%A 李建军
%A 魏希文
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文介绍了一种对双向S型负阻器件（BNRD）进行二维数值模拟的方法．并用此方法模拟得出了器件的Ⅰ－Ⅴ曲线及截止状态和导通状态下器件的内部电位分布、电子空穴浓度分布和电流密度分布．由此可以更清楚地了解器件的工作机理．此外还对不同结构、工艺参数的BNRD进行了模拟，总结出了器件结构、工艺参数对器件电学特性的影响关系．
%K 负阻器件
%K 双向S型
%K 二维数值模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0FD97575EFC6B63E&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=119B6C0AA09DE6B9&eid=F416A9924F23B020&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=3