%0 Journal Article
%T InGaAsP／InP掩埋条型激光器的漏电流分析
%A 何振华
%A 王圩
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文针对Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ埋区结构中的漏电流，用广义Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ三端器件的理论模型，细致地分析和模拟计算了Ｐ－Ｎ－Ｐ－Ｎ掩埋型ＢＨ激光器的漏电流特性，并据此给出了优化设计器件的数据曲线．通过具体的激光器工艺，我们做出的ＦＢＨ激光器的漏电流大大减小，激光器的线性输出光功率可高达２０ｍＷ，室温寿命超过１０万小时．
%K 激光器
%K 漏电流
%K InGaAsP
%K InP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0F63FC8C4183E8EE&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=F8AEC975DBDD7F2F&eid=039DCCB9394D9766&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3