%0 Journal Article
%T 高压编移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究
%A 严荣良
%A 高文钰
%A 张国强
%A 余学锋
%A 罗来会
%A 任迪远
%A 赵元富
%A 李荫波
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ６０－γ，辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系．结果表明：击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、漂移区长度、场板长度以及漏区结构有关．另外，γ辐照导致导通电阻增加．结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制．对实验现象给出了比较圆满的解释．结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4D3C4D47A0363EF3&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=7FAAB0292FA0D5D0&eid=6837BC93241057EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0