%0 Journal Article
%T Photoluminescence of (Ga,Mn,As)/GaAs<br>(Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱
%A Yang Junling
%A Chen Nuofu
%A Ye Xiaoling
%A He Hongjia
%A <br>杨君玲
%A 陈诺夫
%A 叶小玲
%A 何宏家
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 利用低能双离子束外延技术 ,在 4 0 0℃条件下生长样品 (Ga,Mn,As) / Ga As.样品光致发光谱出现三个峰 ,即1.5 0 4 2 e V处的 Ga As激子峰、1.4 875 e V处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带 .宽发光带的中心位置在 1.35 e V附近 ,半宽约 0 .1e V.在 84 0℃条件下对样品进行退火处理 ,退火后的谱结构类似退火前 ,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至 1.5 0 6 5 e V和 1.4 894 e V,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加 .这一宽发射带的来源还不清楚 ,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带 ,生成 Mn2 As新相 ,Mn占 Ga位或形成 Ga Mn As合金
%K Ga
%K Mn
%K As)
%K GaAs single
%K crystal
%K mass
%K analyzed low energy ion beam
%K photoluminescence<br>(Ga
%K Mn
%K As)
%K GaAs单晶
%K 质量分析的低能离子束
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DE80EB51B45F64B1&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=96C778EE049EE47D&eid=771469D9D58C34FF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0