%0 Journal Article
%T 掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构
%A 陈维德
%A 梁建军
%A 王永谦
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 .
%K 铒
%K a-Si∶H
%K O薄膜
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1ADAEACAAF4A562A&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=BB44F42BE8AE7430&eid=E1034A3BCFB43055&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0