%0 Journal Article
%T 背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响
%A 刘汝萍
%A 赵建龙
%A 夏冠群
%A 吴剑萍
%A 顾成余
%A 詹琰
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．
%K MESFET
%K 砷化镓
%K 背栅效应
%K 均匀性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8E3F4B8A0BC43CA0&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=8DEAC935CD342902&eid=FB3C6F66BC48DD45&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3