%0 Journal Article
%T GSMBE原位生长SiGeHBT材料
%A 黄大定
%A 刘金平
%A 李建平
%A 林燕霞
%A 刘学锋
%A 李灵霄
%A 孙殿照
%A 孔梅影
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 采用ＧＳＭＢＥ工艺生长的单晶ＳｉＧｅＨＢＴ结构材料，经Ｘ射线双晶衍射，透射电镜和扩展电阻深度分布测量说明：该材料晶体完整性好，无应力弛豫，界面平整陡峭．发射区Ｎ型掺杂浓度２e１９～１e２０ｃｍ－３，厚度１００～２００ｎｍ；基区ＳｉＧｅ合金Ｇｅ组分０．０５～０．２０，Ｐ型掺杂浓度５e１８ｃｍ－３，厚度４０～１００ｎｍ；集电极浓度～１e１６ｃｍ－３．达到了生长ＳｉＧｅＨＢＴ材料的条件．
%K 双极性晶体管
%K GSMBE
%K SiGe
%K 材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8593923C922EEFC2&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=AE9D5375B9B2D7F2&eid=8CE636FB0B122692&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=11