%0 Journal Article
%T 铁电PbZr_(0.53)Ti_(0.47)O_3薄膜的磁增强反应离子刻蚀
%A 刘秦
%A 林殷茵
%A 吴小清
%A 张良莹
%A 姚熹
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 采用磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）工艺获得了铁电ＰｂＺｒ０５３Ｔｉ０４７Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜的微细图形．研究了用ＣＨＦ３气体在不同射频功率和气体流量下ＰＺＴ薄膜、Ｐｔ和ＡＺ１４５０Ｊ光刻胶的刻蚀速率以及刻蚀选择性的实验规律．原子力显微镜（ＡＦＭ）结果表明，获得的ＰＺＴ薄膜图形具有较高的各向异性．化学分析电子能谱（ＥＳＣＡ）结果表明，在ＣＨＦ３等离子体中Ｐｔ表面形成了一层碳氟聚合物薄膜，它对Ｐｔ的刻蚀起到钝化和保护的作用，并且最后可以在３００℃热处理３０ｍｉｎ被消除．
%K PZT薄膜
%K 铁电材料
%K MERIE工艺
%K 刻蚀
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFD73B97AF50F0AC51615FB147B103FC&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=3F10405738B4D004&eid=94D812A784CFA7CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4