%0 Journal Article
%T 硅上超高真空CVD生长硅锗外延层及其特性研究
%A 叶志镇
%A 黄靖云
%A 卢焕明
%A 姜小波
%A 汪雷
%A 赵炳辉
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外延层的质量与组分，利用扩展电阻仪对外延层电阻率进行了表征，研究了生长特性和材料特性．由此获得生长速率及组分与源气体流量的关系曲线，发现生长速度随Ｇｅ组分的增加而降低，以氢气为载气的Ｂ２Ｈ６对锗硅合金的生长速率有促进作用．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=676C6D9C2B2F455E&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=340AC2BF8E7AB4FD&eid=339D79302DF62549&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0