%0 Journal Article
%T GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究
%A 孙玉明
%A 陆尔东
%A 徐法强
%A 徐世红
%A 余小江
%A 张发培
%A 徐彭寿
%A 张新夷
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层，对钝化表面退火，Ｐ－Ｓ键逐渐消失，而仅仅留下了Ｇａ－Ｓ键．Ｇｄ淀积到硫钝化退火的ＧａＰ表面，Ｐ的扩散被有效地阻止，而Ｓ仍保持在界面处，Ｇｄ与表面的元素态Ｐ和二聚体Ｇａ反应，形成金属Ｇａ向淀积的Ｇｄ金属层扩散，导致金属Ｇａ在表面偏析．
%K 磷化镓
%K 硫钝化
%K 稀土金属
%K 钆
%K 同步辐射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F42309F922C46C24&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2A8D03AD8076A2E3&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=9