%0 Journal Article
%T 衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响
%A 张仕国
%A 张伟
%A 袁骏
%A 樊瑞新
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响．实验发现在真空为５×１０－３Ｐａ、衬底温度在２８０～４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶、转化为纳米晶体、再转化为多晶，氧含量也随着温度的提高而增加，这可能是由硅原子在生长表面迁移率的增加和氧化速率的提高所致
%K 纳米硅
%K 衬底
%K 氧化硅
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45FA33F32CD2A185F8&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=59906B3B2830C2C5&sid=6484E0C1B87D264C&eid=3382A18868551611&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3