%0 Journal Article
%T 多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰
%A 夏永伟
%A 滕学公
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件，研究了它的发光峰形状的变化．第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱，其半峰值宽度均小于１０ｕｍ．讨论了形成计形峰的可能机理．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3C60136F59DCF94&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=3C6F5C97A07587AE&eid=CA9ED1AB4D9E3E04&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0