%0 Journal Article
%T Effect of Nitrogen on Oxygen Precipitate Profile in Czochralski Silicon Wafer<br>氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响
%A Cui Can
%A Yang Deren
%A Ma Xiangyang
%A Yu Xuegong
%A Li Liben
%A Que Duanlin
%A <br>崔灿
%A 杨德仁
%A 马向阳
%A 余学功
%A 李立本
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ) ,体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为
%K nitrogen doping
%K Czochralski silicon
%K oxygen precipitates
%K annealing<br>掺氮
%K 直拉硅
%K 氧沉淀
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=276E7A5B2E139E6F&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=9822743C2D2BE348&eid=2F26E27A20AEB31F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=13