%0 Journal Article
%T Influence of Al BSF Gettering on Minority Carrier Lifetime in Silicon Solar Cell<br>硅光单体电源铝背场吸杂对非平衡少子寿命的影响
%A Ren Bingyan
%A Zuo Yan
%A Huo Xiumin
%A Li Xudong
%A Wang Wenjing
%A Xu Ying
%A Zhao Yuwen
%A Zhu Huimin
%A Fu Hongbo
%A <br>任丙彦
%A 左燕
%A 霍秀敏
%A 励旭东
%A 王文静
%A 许颖
%A 赵玉文
%A 朱惠民
%A 傅洪波
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对硅片少子寿命产生一定影响.铝背场烧结和适当的快速热处理促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用,并减少了载流子的复合中心,从而提高了光生载流子的扩散长度,提高了非平衡少子寿命.
%K RTP
%K oxygen precipitation
%K minority carrier lifetime
%K gettering<br>RTP
%K 氧沉淀
%K 少子寿命
%K 吸杂
%K 单体
%K 电源
%K 铝背场
%K 非平衡
%K 少子寿命
%K 影响
%K Solar
%K Cell
%K Silicon
%K Carrier
%K Lifetime
%K Gettering
%K 扩散长度
%K 光生载流子
%K 复合中心
%K 吸附作用
%K 重金属杂质
%K 应力对
%K 晶格
%K 界面
%K 快速热处理
%K 烧结工艺
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=272EB5ECA5415194&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=5D311CA918CA9A03&sid=72D13CE6C162BDF4&eid=D4A72ABDCEDCE1BD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9