%0 Journal Article
%T GaN Schottky Barrier Ultraviolet Detector<br>GaN基肖特基结构紫外探测器
%A Wang Jun
%A Zhao Degang
%A Liu Zongshun
%A Wu Mo
%A Jin Ruiqin
%A Li Na
%A Duan Lihong
%A Zhang Shuming
%A Zhu Jianjun
%A Yang Hui
%A <br>王俊
%A 赵德刚
%A 刘宗顺
%A 伍墨
%A 金瑞琴
%A 李娜
%A 段俐宏
%A 张书明
%A 朱建军
%A 杨辉
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法生长GaN外延层结构 ,以此为材料制作了GaN基肖特基结构紫外探测器 .测量了该紫外探测器的暗电流曲线、C V特性曲线、光响应曲线和响应时间曲线 .该紫外探测器在 5V偏压时暗电流为 0 4 2nA ,在 10V偏压时暗电流为 38 5nA .在零偏压下 ,该紫外探测器在2 5 0nm～ 36 5nm的波长范围内有较高的响应度 ,峰值响应度在 36 3nm波长处达到 0 12A/W ,在 36 5nm波长左右有陡峭的截止边 ;当波长超过紫外探测器的截止波长 (36 5nm左右 ) ,探测器的响应度减小了三个数量级以上 .该紫外探测器的响
%K GaN
%K Schottky
%K ultraviolet detector
%K responsivity<br>GaN
%K 肖特基结构
%K 紫外探测器
%K 响应度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D0347175A253C53E&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=B31275AF3241DB2D&sid=FD6137FFCE59D193&eid=C4B91B15F1F73E7E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=11&reference_num=14