%0 Journal Article
%T SiGe HBTs高频特性模拟分析
%A 赵立新
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文详细分析了下述问题：（１）在基区厚度减薄到几十纳米后，发射区时间常数、集电区时间常数对ＳｉＧｅＨＢＴｓ的高频特性的影响；（２）低掺杂浓度发射区层对发射区渡越时间的影响；（３）在发射结耗尽层中，除了固定电荷因素引起的电容外，发射结正常工作加正向偏压时，由于自由载流子注入引起的ＥＢ结电容．由以上物理分析可以得出器件的有关参数，并由器件的等效电路，对器件的高频特性进行分析和模拟，对影响器件高频特性的参数进行优化．
%K 锗化硅
%K HBTs
%K 外延生长
%K 高频特性
%K 模拟分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFD73B97AF50F0AC725CCB254B453036&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3FC4D669D19FF0C6&eid=D93AD940782892D0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0