%0 Journal Article
%T Thermal Effects and RF Power Handling of DC～5GHz MEMS Switch<br>一种DC～5GHz串联微波开关的温度特性和功率处理能力的测试与分析(英文)
%A Zhao Zhengping
%A Lou Jianzhong
%A Gu Hongming
%A Hu Xiaodong
%A Li Qian
%A <br>吕苗
%A 赵正平
%A 娄建忠
%A 顾洪明
%A 胡小东
%A 李倩
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 描述了一种串联微波 MEMS开关的设计、制造过程 ,它制作在玻璃衬底上 ,采用金铂触点 ,在 DC～ 5 GHz,插损小于 0 .6 d B,隔离度大于 30 d B,开关时间小于 30μs.对这种微波开关的温度特性和功率处理能力进行了测试 ,在DC～ 4 GHz,85℃下的插损增加了 0 .2 d B,- 5 5℃下的插损增加了 0 .4 d B,而隔离度基本保持不变 .在开关中流过的连续波功率从 1 0 d Bm上升到 35 .1 d Bm ,开关的插损下降了 0 .1～ 0 .6 d B,并且在 35 .1 d Bm (3.2 4 W)下开关还能工作 .和所报道的并联开关最大处理功率 (4 2 0 m W)相比 ,该结果说明串联开关具有较大的功率处理能力
%K RF MEMS switches
%K thermal effects
%K power handling capability<br>RFMEMS开关
%K 温度特性
%K 功率处理能力
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F03D51C1FDA06205&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=762CFFBBDED11937&eid=B37ED91D1227CC95&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=15