%0 Journal Article
%T 聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性
%A 谢茂浓
%A 傅鹤鉴
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 红外吸收谱分析表明，聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ，ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．
%K 聚硅烷
%K 氧等离子体处理
%K 紫外光敏材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F6B3478BB950408&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=20C3B205768D55E0&eid=652E7E360EBE3082&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=4