%0 Journal Article
%T A MS/RF CMOS-Process-Compatible Photodetector<br>MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器
%A Huang Jiale
%A Mao Luhong
%A Chen Hongda
%A Gao Peng
%A Liu Jinbin
%A Lei Xiaoquan
%A <br>黄家乐
%A 毛陆虹
%A 陈弘达
%A 高鹏
%A 刘金彬
%A 雷晓荃
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片. 利用半导体测试仪对芯片进行了测试，包括探测器的暗电流、响应度和结电容，并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响. 结果表明，利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.
%K monolithic
%K MS/RF CMOS process
%K Si-photodetector
%K dark current
%K responsivity
%K junction capacitance<br>单片集成
%K MS/RF
%K CMOS工艺
%K 硅光电探测器
%K 暗电流
%K 响应度
%K 结电容
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6094FAE0B9DE1994&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=BBCD5003575B2B5F&eid=9806D0D4EAA9BED3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=5