%0 Journal Article
%T 1.5μm Self-Aligned Spotsize Converter I ntegrated DFB Fabricated by Selective Area Grown MOVPE<br>选择外延技术研制1.5μmDFB激光器和自对准模斑转换器集成器件(英文)
%A Qiu Weibin
%A Dong Jie
%A Wang Wei
%A Zhou Fan
%A <br>邱伟彬
%A 董杰
%A 王圩
%A 周帆
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 利用选择外延技术研制了 1 5 μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件 .激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选择性生长 ,这样的方法不仅可以分别优化有源区和模斑转换器的材料 ,同时可以降低选择性生长对接结构的难度 .所研制集成器件的阈值为 4 4mA ,在 49 5mA下的输出功率为 10 1mW ,边模抑制比为 33 2dB ,垂直方向和水平方向上的远场发散角分别为 9°和 15°,1dB偏调容差分别为 3 6 μm和 3 4μm .
%K spotsize converter
%K self
%K aligned
%K butt
%K joint
%K selective area growth<br>模斑转换器
%K 自对准
%K 对接
%K 选择外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0532A06337212321&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8243B77967FFD12E&eid=47122BA7BE181C5A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6