%0 Journal Article
%T Micro-Raman and Photoluminescence Studies of Embedded GaAs on Si by Molecular Beam Epitaxy<br>嵌入在Si衬底上的分子束外延GaAs层的微区喇曼和光致发光分析
%A 李国华
%A 梁基本
%A 韩和相
%A 汪兆平
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 对分子束外延生长的嵌入在Si衬底上的边长为20—150μm正方形GaAs层微区进行了微区喇曼和光致发光分析。发现微区GaAs层的喇曼散射谱和光致发光谱与普通平面Si片上生长的GaAs层的基本相同,证实嵌入式生长可以得到与通常平面生长基本相同的质量。仔细的分析表明随着微区尺寸的减小GaAs层的无序程度有少许增长。
%K Raman scattering
%K Photoluminescence
%K GaAs/Si
%K MBE<br>喇曼散射
%K 光致发光
%K GaAs/Si
%K 分子束外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=021B0F46B91EAB38&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=38B194292C032A66&sid=9CA95D22FC1D537C&eid=0C191C6ECF79047F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0