%0 Journal Article
%T Growth of Fully Relaxed Si0. 83Ge0. 17 Layer Free of Dislocations by UHV/CVD System<br>弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长
%A LUO Guang
%A |li
%A LIN Xiao
%A |feng
%A LIU Zhi
%A |nong
%A CHEN Pei
%A |yi
%A LIN Hui
%A |wang
%A Tsien Pei Hsin
%A <br>罗广礼
%A 林小峰
%A 刘志农
%A 陈培毅
%A 林惠旺
%A 钱佩信
%A 刘安生
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.83Ge0.17外延层,并在其上获得了具有张应变的Si盖帽层.另外,还在550℃下生长了同样结构的样品,发现此样品厚度明显变薄,组分渐变层的应变释放不完全,位错网稀疏而且不均匀,其上的Si0.83Ge0.17外延层具有明显的穿透位错
%K epitaxial layer
%K UHV/CVD
%K SiGe<br>外延层
%K UHV/CVD
%K SiGe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=ED4A5F5AC418FC4A&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=6D25DD85174CF6DB&eid=AF14A8B15FB15A64&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=10