%0 Journal Article
%T 氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性
%A 傅竹西
%A 林碧霞
%A 郭常新
%A 廖桂红
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ）发射，随着薄膜单晶程度的提高，光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ），并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ）；它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ中激子的结合能数据，推测紫带发射来源于ＺｎＯ的激子跃迁．实验结果说明，通过改进薄膜的结晶状况可进一步增强ＺｎＯ薄膜的短波长发光
%K 氧化锌
%K 半导体薄膜
%K 发光光谱特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5CEA83C7B11D1C37&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=AC3946AB81989513&eid=CE16DE2ABCD4D365&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=12&reference_num=2