%0 Journal Article
%T VLSI金属化布线电徙动动力学温度相关性研究
%A 李志国
%A 郭伟玲
%A 朱红
%A 吉元
%A 程尧海
%A 孙英华
%A 张万荣
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 电徙动失效是ＶＬＳＩ金属化系统的主要失效形式．本文提出了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度．文中采用分别独立的的试验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精确确定金属条上的温度分布，首次从理论和实验上深入研究了电徙动失效与温度梯度间的动力学关系．实验结果表明，在２０～３５℃的温度梯度作用下，电徙动平均失效时间、空洞失效位置和电徙动电阻变化呈现新的特性
%K VLSI
%K 布线
%K 金属化
%K 电徙动动力学
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3BDF403215B2F771&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=30F3EEEA29E34EE7&eid=D0E8F9CBDBE0070C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2