%0 Journal Article
%T InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究
%A 王红梅
%A 曾一平
%A 周宏伟
%A 董建荣
%A 潘栋
%A 潘量
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相比提高了５０％．
%K 霍尔器件
%K 砷化铟
%K MBE生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9CE680608A343624&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=09AA1448D1EAF9C1&eid=1FF3CD54EFC256A1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3