%0 Journal Article
%T Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究
%A 李秉臣
%A 王玉田
%A 庄岩
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文利用Ｘ射线衍射和ＡＥＳ（俄歇）方法，深入地研究了ＲＦ磁控溅射淀积的Ｐｔ－Ｎｉ／ｐ－ＩｎＰ（１００）非合金膜系在热退火过程中Ｐｔ和Ｎｉ与衬底ＩｎＰ中的Ｉｎ和Ｐ形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低到３×１０－６Ω·ｃｍ２的根本原因
%K 半导体器件
%K 欧姆接触
%K 磷化铟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C453B3F2F1D97AF3166&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=21D8CE17EE5EE354&eid=8ACD9060100C26F1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3