%0 Journal Article
%T HgCdTe材料汞空位浓度的计算
%A 杨建荣
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用热力学原理探讨了Hg－Cd－Te固气两相平衡体系中材料参数和系统状态参数间的相互关系，给出了定量描述这些相互关系的理认计算公式和计算方法，通过对现有热力学常数的分析和评价，得到了计算所需的热力学常数以及和组分相关的经验公式．计算结果揭示了不同状态下HgCdTe材料中汞空位及和其它点阵缺陷比较的情况．计算结果也给出了汞空位浓度为（5～10）×1015cm-3HgCdTe材料的P－T相图，这为红外焦平面器件所需的弱P型HgCdTe材料热处理工艺从理论上提供了参考依据．通过计算三相平衡线上空位浓度的分布，对汞空位在不同生长工艺的情况也有了进一步的
%K 红外探测材料
%K 汞
%K 空位浓度
%K 计算
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=135948DB66EFBECC&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=E158A972A605785F&sid=6A73B36E85DB0CE9&eid=E2E0FBFE4D7EFB94&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4