%0 Journal Article
%T O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析
%A 竺士炀
%A 黄宜平
%A 李爱珍
%A 吴东平
%A 王瑾
%A 茹国平
%A 包宗明
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入，用智能剥离技术（Ｓｍａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍｍ的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ，比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷，包括未转移区和气泡等，这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺，提高键合质量，可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1094635D47DC821&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=59906B3B2830C2C5&sid=5DD55A2029F498FE&eid=CD794621A184DC14&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0